वुल्फस्पीडले २०० मिमी सिलिकन कार्बाइड वेफरको व्यावसायिक सुरुवातको घोषणा गर्‍यो

वुल्फस्पीडले तत्काल योग्यताको लागि २०० मिमी SiC एपिटाक्सी पनि प्रदान गर्दैछ जुन, यसको २०० मिमी बेयर वेफरहरूसँग जोड्दा, उच्च-प्रदर्शन पावर उपकरणहरूको अर्को पुस्तालाई सक्षम पार्दै, सफलता स्केलेबिलिटी र सुधारिएको गुणस्तरको रूपमा दाबी गरिएको कुरा प्रदान गर्दछ।

"वुल्फस्पीडका २०० मिमी SiC वेफरहरू वेफर व्यासको विस्तार मात्र होइनन् - यसले एक सामग्री नवप्रवर्तनलाई प्रतिनिधित्व गर्दछ जसले हाम्रा ग्राहकहरूलाई आत्मविश्वासका साथ आफ्नो उपकरण रोडम्यापलाई तीव्र बनाउन सशक्त बनाउँछ," प्रमुख व्यापार अधिकारी डा. सेन्गिज बाल्कास भन्छन्। "स्तरमा गुणस्तर प्रदान गरेर, वुल्फस्पीडले पावर इलेक्ट्रोनिक्स निर्माताहरूलाई उच्च प्रदर्शन गर्ने, अधिक कुशल सिलिकन कार्बाइड समाधानहरूको बढ्दो माग पूरा गर्न सक्षम बनाइरहेको छ।"

३५०µm मोटाईमा २००mm SiC बेयर वेफरहरूको सुधारिएको प्यारामेट्रिक विशिष्टताहरू र बढाइएको दाबी गरिएको, २००mm एपिटाक्सीको उद्योग-अग्रणी डोपिङ र मोटाई एकरूपताले उपकरण निर्माताहरूलाई MOSFET उपज सुधार गर्न, समय-देखि-बजारलाई गति दिन, र अटोमोटिभ, नवीकरणीय ऊर्जा, औद्योगिक, र अन्य उच्च-वृद्धि अनुप्रयोगहरूमा थप प्रतिस्पर्धी समाधानहरू प्रदान गर्न सक्षम बनाउँछ, वुल्फस्पीड भन्छन्। २००mm SiC को लागि यी उत्पादन र प्रदर्शन प्रगतिहरू १५०mm SiC सामग्री उत्पादनहरूको लागि निरन्तर सिकाइमा पनि लागू गर्न सकिन्छ, फर्म थप्छ।

"यो प्रगतिले सिलिकन कार्बाइड सामग्री प्रविधिको सीमालाई अगाडि बढाउन वुल्फस्पीडको लामो समयदेखिको प्रतिबद्धतालाई प्रतिबिम्बित गर्दछ," बाल्कास भन्छन्। "यो सुरुवातले ग्राहकको आवश्यकताहरू अनुमान गर्ने, मागसँग मापन गर्ने, र सामग्रीको आधार प्रदान गर्ने हाम्रो क्षमता प्रदर्शन गर्दछ जसले भविष्यलाई अझ कुशल पावर रूपान्तरण सम्भव बनाउँछ।"